Výrobca Číslo produktu:
RUR040N02TL
Product Overview
Výrobca:
Rohm Semiconductor
Číslo dielu:
RUR040N02TL-DG
Popis:
MOSFET N-CH 20V 4A TSMT3
Podrobný popis:
N-Channel 20 V 4A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount TSMT3
Inventár:
12615 Ks Nové Originálne Na Sklade
13527191
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
RUR040N02TL Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
ROHM Semiconductor
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
20 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
4A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
1.5V, 4.5V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
35mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1.3V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
8 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±10V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
680 pF @ 10 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
1W (Ta)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TSMT3
Balenie / puzdro
SC-96
Základné číslo produktu
RUR040
Technické údaje a dokumenty
Dokumenty o spoľahlivosti
Zdroje návrhu
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
RUR040N02TLDKR
RUR040N02MGTL
RUR040N02TLTR
RUR040N02TLCT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
R6020ENZ1C9
MOSFET N-CH 600V 20A TO247
RD3L150SNTL1
MOSFET N-CH 60V 15A TO252
RQ3E080BNTB
MOSFET N-CH 30V 8A 8HSMT
