Výrobca Číslo produktu:
RUS100N02TB
Product Overview
Výrobca:
Rohm Semiconductor
Číslo dielu:
RUS100N02TB-DG
Popis:
MOSFET N-CH 20V 10A 8SOP
Podrobný popis:
N-Channel 20 V 10A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOP
Inventár:
138 Ks Nové Originálne Na Sklade
13527495
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
RUS100N02TB Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
ROHM Semiconductor
Balenie
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
20 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
10A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
1.5V, 4.5V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
12mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
24 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±10V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2250 pF @ 10 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2W (Ta)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
8-SOP
Balenie / puzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Základné číslo produktu
RUS100
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
RUS100N02TBDKR
RUS100N02TBCT
RUS100N02TBTR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
DMN2009LSS-13
VÝROBCA
Diodes Incorporated
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1816
ČÍSLO DIELU
DMN2009LSS-13-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.22
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
RS3E135BNGZETB
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2565
ČÍSLO DIELU
RS3E135BNGZETB-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.36
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
RCX200N20
MOSFET N-CH 200V 20A TO220FM
RV2C010UNT2L
MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006-3
SCT3105KLGC11
SICFET N-CH 1200V 24A TO247N
