Výrobca Číslo produktu:
RW1A013ZPT2R
Product Overview
Výrobca:
Rohm Semiconductor
Číslo dielu:
RW1A013ZPT2R-DG
Popis:
MOSFET P-CH 12V 1.5A 6WEMT
Podrobný popis:
P-Channel 12 V 1.5A (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount 6-WEMT
Inventár:
13526119
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
RW1A013ZPT2R Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
ROHM Semiconductor
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
12 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
1.5A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
1.5V, 4.5V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
260mOhm @ 1.3A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
2.4 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±10V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
290 pF @ 6 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
400mW (Ta)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
6-WEMT
Balenie / puzdro
6-SMD, Flat Leads
Základné číslo produktu
RW1A013
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
8,000
Iné mená
RW1A013ZPT2R-ND
RW1A013ZPT2RTR
RW1A013ZPT2RCT
RW1A013ZPT2RDKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
RV5C040APTCR1
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
3000
ČÍSLO DIELU
RV5C040APTCR1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.30
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
RV2C014BCT2CL
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
10299
ČÍSLO DIELU
RV2C014BCT2CL-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.08
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
R6004JNXC7G
MOSFET N-CH 600V 4A TO220FM
RCX330N25
MOSFET N-CH 250V 33A TO220FM
RK7002T116
MOSFET N-CH 60V 115MA SST3
