Výrobca Číslo produktu:
RX3P10BBHC16
Product Overview
Výrobca:
Rohm Semiconductor
Číslo dielu:
RX3P10BBHC16-DG
Popis:
NCH 100V 100A, TO-220AB, POWER M
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 100A (Tc) 189W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventár:
1000 Ks Nové Originálne Na Sklade
12993674
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
RX3P10BBHC16 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
ROHM Semiconductor
Balenie
Tube
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
100A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
6V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
3.3mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
135 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
8600 pF @ 50 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
189W (Tc)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220AB
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
RX3P10
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,000
Iné mená
846-RX3P10BBHC16
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
3 (168 Hours)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SI2102AHE3-TP
Interface
BSS138-13P
Interface
SCT3030ARC15
650V, 70A, 4-PIN THD, TRENCH-STR