Výrobca Číslo produktu:
RYM002N05T2CL
Product Overview
Výrobca:
Rohm Semiconductor
Číslo dielu:
RYM002N05T2CL-DG
Popis:
MOSFET N-CH 50V 200MA VMT3
Podrobný popis:
N-Channel 50 V 200mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VMT3
Inventár:
930120 Ks Nové Originálne Na Sklade
13525239
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
RYM002N05T2CL Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
ROHM Semiconductor
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
50 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
200mA (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
0.9V, 4.5V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
800mV @ 1mA
Vgs (max.)
±8V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
26 pF @ 10 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
150mW (Ta)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
VMT3
Balenie / puzdro
SOT-723
Základné číslo produktu
RYM002
Technické údaje a dokumenty
Sprievodca číslovaním dielov
Dokumenty o spoľahlivosti
Zdroje návrhu
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
8,000
Iné mená
RYM002N05T2CL-ND
RYM002N05T2CLTR
RYM002N05T2CLCT
RYM002N05T2CLDKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
R6009KNJTL
MOSFET N-CH 600V 9A LPTS
R6010ANX
MOSFET N-CH 600V 10A TO220FM
RQ6E060ATTCR
MOSFET P-CH 30V 6A TSMT6
