Výrobca Číslo produktu:
RZF020P01TL
Product Overview
Výrobca:
Rohm Semiconductor
Číslo dielu:
RZF020P01TL-DG
Popis:
MOSFET P-CH 12V 2A TUMT3
Podrobný popis:
P-Channel 12 V 2A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount TUMT3
Inventár:
11431 Ks Nové Originálne Na Sklade
13526334
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
RZF020P01TL Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
ROHM Semiconductor
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
12 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
2A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
1.5V, 4.5V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
105mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
6.5 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±10V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
770 pF @ 6 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
800mW (Ta)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TUMT3
Balenie / puzdro
3-SMD, Flat Leads
Základné číslo produktu
RZF020
Technické údaje a dokumenty
Dokumenty o spoľahlivosti
Zdroje návrhu
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
RZF020P01TLTR
RZF020P01TLDKR
RZF020P01TL-ND
RZF020P01TLCT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
RP1E100XNTR
MOSFET N-CH 30V 10A MPT6
RZF030P01TL
MOSFET P-CH 12V 3A TUMT3
RSR020N06TL
MOSFET N-CH 60V 2A TSMT3