Výrobca Číslo produktu:
RZL025P01TR
Product Overview
Výrobca:
Rohm Semiconductor
Číslo dielu:
RZL025P01TR-DG
Popis:
MOSFET P-CH 12V 2.5A TUMT6
Podrobný popis:
P-Channel 12 V 2.5A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount TUMT6
Inventár:
2950 Ks Nové Originálne Na Sklade
13527299
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
RZL025P01TR Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
ROHM Semiconductor
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Not For New Designs
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
12 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
2.5A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
1.5V, 4.5V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
61mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
13 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±10V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1350 pF @ 6 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
1W (Ta)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TUMT6
Balenie / puzdro
6-SMD, Flat Leads
Základné číslo produktu
RZL025
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
RZL025P01CT
RZL025P01DKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SCT2280KEC
SICFET N-CH 1200V 14A TO247
RDN080N25FU6
MOSFET N-CH 250V 8A TO220FN
R5007ANX
MOSFET N-CH 500V 7A TO220FM
