SCT3022ALGC11
Výrobca Číslo produktu:

SCT3022ALGC11

Product Overview

Výrobca:

Rohm Semiconductor

Číslo dielu:

SCT3022ALGC11-DG

Popis:

SICFET N-CH 650V 93A TO247N
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 93A (Tc) 339W (Tc) Through Hole TO-247N

Inventár:

1695 Ks Nové Originálne Na Sklade
13527008
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

SCT3022ALGC11 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
ROHM Semiconductor
Balenie
Tube
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
SiCFET (Silicon Carbide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
650 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
93A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
18V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
28.6mOhm @ 36A, 18V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5.6V @ 18.2mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
133 nC @ 18 V
Vgs (max.)
+22V, -4V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2208 pF @ 500 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
339W (Tc)
Prevádzková teplota
175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-247N
Balenie / puzdro
TO-247-3
Základné číslo produktu
SCT3022

Technické údaje a dokumenty

Dokumenty o spoľahlivosti
MOS-3GTHD Reliability Test
Zdroje návrhu
TO-247N Inner Structure
Technické listy
SCT3022ALGC11 TO-247N Taping Spec

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
30

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Súvisiace produkty
rohm-semi

RSD201N10TL

MOSFET N-CH 100V 20A CPT3

rohm-semi

RV2C014BCT2CL

MOSFET P-CH 20V 700MA DFN1006-3

rohm-semi

RT1A045APTCR

MOSFET P-CH 12V 4.5A 8TSST

rohm-semi

SCT3160KLGC11

SICFET N-CH 1200V 17A TO247N