Výrobca Číslo produktu:
SCT3060ALHRC11
Product Overview
Výrobca:
Rohm Semiconductor
Číslo dielu:
SCT3060ALHRC11-DG
Popis:
SICFET N-CH 650V 39A TO247N
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 39A (Tc) 165W Through Hole TO-247N
Inventár:
13525394
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SCT3060ALHRC11 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
ROHM Semiconductor
Balenie
Tube
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
SiCFET (Silicon Carbide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
650 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
39A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
18V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
78mOhm @ 13A, 18V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5.6V @ 6.67mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
58 nC @ 18 V
Vgs (max.)
+22V, -4V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
852 pF @ 500 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
165W
Prevádzková teplota
175°C (TJ)
Trieda
Automotive
Kvalifikácia
AEC-Q101
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-247N
Balenie / puzdro
TO-247-3
Základné číslo produktu
SCT3060
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
30
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IXFX80N60P3
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
3
ČÍSLO DIELU
IXFX80N60P3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
11.27
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
SCT3060ARC14
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
345
ČÍSLO DIELU
SCT3060ARC14-DG
CENA ZA JEDNOTKU
11.60
Typ substitútu
Parametric Equivalent
ČÍSLO DIELU
MSC060SMA070B
VÝROBCA
Microchip Technology
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
26
ČÍSLO DIELU
MSC060SMA070B-DG
CENA ZA JEDNOTKU
6.90
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
RHU003N03T106
MOSFET N-CH 30V 300MA UMT3
RQ6C050BCTCR
MOSFET P-CH 20V 5A TSMT6
RQ5H020SPTL
MOSFET P-CH 45V 2A TSMT3
