SCT4036KEC11
Výrobca Číslo produktu:

SCT4036KEC11

Product Overview

Výrobca:

Rohm Semiconductor

Číslo dielu:

SCT4036KEC11-DG

Popis:

1200V, 36M, 3-PIN THD, TRENCH-ST
Podrobný popis:
N-Channel 1200 V 43A (Tc) 176W Through Hole TO-247N

Inventár:

4724 Ks Nové Originálne Na Sklade
12978359
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

SCT4036KEC11 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
ROHM Semiconductor
Balenie
Tube
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
SiCFET (Silicon Carbide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
1200 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
43A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
18V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
47mOhm @ 21A, 18V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4.8V @ 11.1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
91 nC @ 18 V
Vgs (max.)
+21V, -4V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2335 pF @ 800 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
176W
Prevádzková teplota
175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-247N
Balenie / puzdro
TO-247-3
Základné číslo produktu
SCT4036

Technické údaje a dokumenty

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
30
Iné mená
846-SCT4036KEC11

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
nxp-semiconductors

BUK9609-75A,118

TRANSISTOR >30MHZ

goford-semiconductor

G30N02T

N20V,RD(MAX)<[email protected],VTH0.5V~1.

goford-semiconductor

G30N02T

MOSFET N-CH 20V 30A TO-220

goford-semiconductor

G08P06D3

P60V,RD(MAX)<52M@-10V,VTH-2V~-3.