Výrobca Číslo produktu:
SCT4062KEHRC11
Product Overview
Výrobca:
Rohm Semiconductor
Číslo dielu:
SCT4062KEHRC11-DG
Popis:
1200V, 26A, 3-PIN THD, TRENCH-ST
Podrobný popis:
N-Channel 1200 V 26A (Tc) 115W Through Hole TO-247N
Inventár:
445 Ks Nové Originálne Na Sklade
13000980
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SCT4062KEHRC11 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
ROHM Semiconductor
Balenie
Tube
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
SiCFET (Silicon Carbide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
1200 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
26A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
18V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
81mOhm @ 12A, 18V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4.8V @ 6.45mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
64 nC @ 18 V
Vgs (max.)
+21V, -4V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1498 pF @ 800 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
115W
Prevádzková teplota
175°C (TJ)
Trieda
Automotive
Kvalifikácia
AEC-Q101
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-247N
Balenie / puzdro
TO-247-3
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
450
Iné mená
846-SCT4062KEHRC11
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
SCT4062KEC11
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
4874
ČÍSLO DIELU
SCT4062KEC11-DG
CENA ZA JEDNOTKU
8.56
Typ substitútu
Parametric Equivalent
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
DMN2310UFD-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN1212-3
PJMB130N65EC_R2_00601
650V/ 130MOHM / 29A/ EASY TO DRI
PJMB390N65EC_R2_00601
650V/ 390MOHM / 10A/ EASY TO DRI
