Výrobca Číslo produktu:
SH8J62TB1
Product Overview
Výrobca:
Rohm Semiconductor
Číslo dielu:
SH8J62TB1-DG
Popis:
MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8SOP
Podrobný popis:
Mosfet Array 30V 4.5A 2W Surface Mount 8-SOP
Inventár:
10202 Ks Nové Originálne Na Sklade
13527148
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SH8J62TB1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
ROHM Semiconductor
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
2 P-Channel (Dual)
Funkcia FET
Logic Level Gate
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
4.5A
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
56mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
8nC @ 5V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
800pF @ 10V
Výkon - Max
2W
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Balík zariadení dodávateľa
8-SOP
Základné číslo produktu
SH8J62
Technické údaje a dokumenty
Dokumenty o spoľahlivosti
Zdroje návrhu
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
SH8J62TB1TR
SH8J62TB1DKR
SH8J62TB1CT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
UT6K30TCR
MOSFET 2N-CH 60V 3A HUML2020L8
SH8K4TB1
MOSFET 2N-CH 30V 9A 8SOP
VT6K1T2CR
MOSFET 2N-CH 20V 0.1A VMT6
