SH8J66TB1
Výrobca Číslo produktu:

SH8J66TB1

Product Overview

Výrobca:

Rohm Semiconductor

Číslo dielu:

SH8J66TB1-DG

Popis:

MOSFET 2P-CH 30V 9A 8SOP
Podrobný popis:
Mosfet Array 30V 9A 2W Surface Mount 8-SOP

Inventár:

4713 Ks Nové Originálne Na Sklade
13526055
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

SH8J66TB1 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
ROHM Semiconductor
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
2 P-Channel (Dual)
Funkcia FET
Logic Level Gate
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
9A
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
18.5mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
35nC @ 5V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
3000pF @ 10V
Výkon - Max
2W
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Balík zariadení dodávateľa
8-SOP
Základné číslo produktu
SH8J66

Technické údaje a dokumenty

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
2,500
Iné mená
SH8J66TB1TR
SH8J66TB1DKR
SH8J66TB1CT

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
rohm-semi

QH8K22TCR

MOSFET 2N-CH 40V 6.5A TSMT8

rohm-semi

QS8M12TCR

MOSFET N/P-CH 30V 4A TSMT8

rohm-semi

QS8M11TCR

MOSFET N/P-CH 30V 3.5A TSMT8

rohm-semi

QS8K11TCR

MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSMT8