Výrobca Číslo produktu:
SH8MA3TB1
Product Overview
Výrobca:
Rohm Semiconductor
Číslo dielu:
SH8MA3TB1-DG
Popis:
MOSFET N/P-CH 30V 7A/6A 8SOP
Podrobný popis:
Mosfet Array 30V 7A (Ta), 6A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOP
Inventár:
19709 Ks Nové Originálne Na Sklade
13525664
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SH8MA3TB1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
ROHM Semiconductor
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
N and P-Channel
Funkcia FET
-
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
7A (Ta), 6A (Ta)
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
28mOhm @ 7A, 10V, 50mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
7.2nC @ 10V, 10nC @ 10V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
300pF @ 15V, 480pF @ 15V
Výkon - Max
2W (Ta)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Balík zariadení dodávateľa
8-SOP
Základné číslo produktu
SH8MA3
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
SH8MA3TB1CT
SH8MA3TB1TR
SH8MA3TB1DKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SH8M70TB1
MOSFET N/P-CH 250V 3A/2.5A 8SOP
UT6MA3TCR
MOSFET N/P-CH 20V 5A HUML2020L8
SP8M3TB
MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8SOP