Výrobca Číslo produktu:
TT8M3TR
Product Overview
Výrobca:
Rohm Semiconductor
Číslo dielu:
TT8M3TR-DG
Popis:
MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 8TSST
Podrobný popis:
Mosfet Array 20V 2.5A, 2.4A 1W Surface Mount 8-TSST
Inventár:
13524868
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
TT8M3TR Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
ROHM Semiconductor
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Not For New Designs
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
N and P-Channel
Funkcia FET
Logic Level Gate, 1.5V Drive
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
20V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
2.5A, 2.4A
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
72mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
3.6nC @ 4.5V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
260pF @ 10V
Výkon - Max
1W
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
8-SMD, Flat Lead
Balík zariadení dodávateľa
8-TSST
Základné číslo produktu
TT8M3
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dokumenty o spoľahlivosti
Zdroje návrhu
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
TT8M3TRCT-ND
TT8M3TRCT
TT8M3TRDKR
TT8M3CT
TT8M3TRTR
TT8M3TRTR-ND
TT8M3TRDKR-ND
TT8M3DKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
HP8MA2TB1
MOSFET N/P-CH 30V 18A/15A 8HSOP
SP8K33FRATB
MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SOP
US6J2TR
MOSFET 2P-CH 20V 1A TUMT6