Výrobca Číslo produktu:
TT8U1TR
Product Overview
Výrobca:
Rohm Semiconductor
Číslo dielu:
TT8U1TR-DG
Popis:
MOSFET P-CH 20V 2.4A 8TSST
Podrobný popis:
P-Channel 20 V 2.4A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount 8-TSST
Inventár:
13524941
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
TT8U1TR Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
ROHM Semiconductor
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Not For New Designs
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
20 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
2.4A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
1.5V, 4.5V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
105mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
6.7 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±10V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
850 pF @ 10 V
Funkcia FET
Schottky Diode (Isolated)
Stratový výkon (max.)
1.25W (Ta)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
8-TSST
Balenie / puzdro
8-SMD, Flat Lead
Základné číslo produktu
TT8U1
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dokumenty o spoľahlivosti
Zdroje návrhu
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
TT8U1DKR
TT8U1CT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
RCJ510N25TL
MOSFET N-CH 250V 51A LPTS
RQ5H025TNTL
MOSFET N-CH 45V 2.5A TSMT3
RQ6P015SPTR
MOSFET P-CH 100V 1.5A TSMT6
