Domov
Produkty
Výrobcovia
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a príspevky
Dopyt/cena
Slovakia
Prihlásiť sa
Selektívny jazyk
Aktuálny jazyk vašej voľby:
Slovakia
Prepínač:
Angličtina
Európa
Veľká Británia
Francúzsko
Španielsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Nórsko
Nemecko
Portugalsko
Slovensko
ltaly
Fínsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estónsko
Poľsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Gréčtina
Chorvátsko
Izrael
Srbsko
Bielorusko
Holandsko
Švédsko
Čierna Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarčina
Rumunsko
Rakúsko
Belgicko
Írsko
Ázia / Tichomorie
Čína
Vietnam
Indonézia
Thajsko
Laos
Filipínčina
Malajzia
Kórea
Japonsko
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistan
Saudská Arábia
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmarsko
Afrika, India a Blízky východ
Spojené arabské emiráty
Tadžikistan
Madagaskar
India
Irán
DR Kongo
Južná Afrika
Egypt
Keňa
Tanzánia
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Južná Amerika / Oceánia
Nový Zéland
Angola
Brazília
Mozambik
Peru
Kolumbia
Čile
Venezuela
Ekvádor
Bolívia
Uruguaj
Argentína
Paraguaj
Austrália
Severná Amerika
Spojené štáty americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikácie
DiGi Úvod
Prečo DiGi
Politika
Kvalitná politika
Podmienky používania
Vyhovuje požiadavkám RoHS
Proces vrátenia
Zdroje
Kategórie produktov
Výrobcovia
Blogy a príspevky
Služby
Záruka kvality
Spôsob platby
Globálna preprava
Cenník dopravy
Často kladené otázky
Výrobca Číslo produktu:
US6M11TR
Product Overview
Výrobca:
Rohm Semiconductor
Číslo dielu:
US6M11TR-DG
Popis:
MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6
Podrobný popis:
Mosfet Array 20V, 12V 1.5A, 1.3A 1W Surface Mount TUMT6
Inventár:
13750 Ks Nové Originálne Na Sklade
13525404
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
*
Spoločnosť
*
Kontaktné meno
*
Telefón
*
E-mail
Doručacia adresa
Správa
k
4
k
0
(
*
) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
US6M11TR Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
ROHM Semiconductor
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
N and P-Channel
Funkcia FET
Logic Level Gate
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
20V, 12V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
1.5A, 1.3A
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
180mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
1.8nC @ 4.5V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
110pF @ 10V
Výkon - Max
1W
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
6-SMD, Flat Leads
Balík zariadení dodávateľa
TUMT6
Základné číslo produktu
US6M11
Technické údaje a dokumenty
Dokumenty o spoľahlivosti
TUMT6 MOS Reliability Test
Zdroje návrhu
TUMT6D Inner Structure
Technické listy
US6M11TR
TUMT6 TR Taping Spec
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
US6M11CT
US6M11DKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SH8M12TB1
MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8SOP
SH8M11TB1
MOSFET N/P-CH 30V 3.5A 8SOP
UM6K1NTN
MOSFET 2N-CH 30V 0.1A UMT6
US6M2TR
MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TUMT6