US6M11TR
Výrobca Číslo produktu:

US6M11TR

Product Overview

Výrobca:

Rohm Semiconductor

Číslo dielu:

US6M11TR-DG

Popis:

MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6
Podrobný popis:
Mosfet Array 20V, 12V 1.5A, 1.3A 1W Surface Mount TUMT6

Inventár:

13750 Ks Nové Originálne Na Sklade
13525404
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
k4k0
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

US6M11TR Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
ROHM Semiconductor
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
N and P-Channel
Funkcia FET
Logic Level Gate
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
20V, 12V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
1.5A, 1.3A
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
180mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
1.8nC @ 4.5V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
110pF @ 10V
Výkon - Max
1W
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
6-SMD, Flat Leads
Balík zariadení dodávateľa
TUMT6
Základné číslo produktu
US6M11

Technické údaje a dokumenty

Dokumenty o spoľahlivosti
TUMT6 MOS Reliability Test
Zdroje návrhu
TUMT6D Inner Structure
Technické listy
US6M11TR TUMT6 TR Taping Spec

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
3,000
Iné mená
US6M11CT
US6M11DKR

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Súvisiace produkty
rohm-semi

SH8M12TB1

MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8SOP

rohm-semi

SH8M11TB1

MOSFET N/P-CH 30V 3.5A 8SOP

rohm-semi

UM6K1NTN

MOSFET 2N-CH 30V 0.1A UMT6

rohm-semi

US6M2TR

MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TUMT6