UT6MA2TCR

Výrobca Číslo produktu:

UT6MA2TCR

Product Overview

Výrobca:

Rohm Semiconductor

Číslo dielu:

UT6MA2TCR-DG

Popis:

MOSFET N/P-CH 30V 4A HUML2020L8

Podrobný popis:

Mosfet Array 30V 4A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount HUML2020L8

Inventár:

32801 Ks Nové Originálne Na Sklade

13525781

Požiadať o cenovú ponuku

Množstvo
Minimálne 1

(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín

ODOSLAŤ

UT6MA2TCR Technické špecifikácie

Kategória

FET, MOSFET, FET, MOSFET pole

Výrobca

ROHM Semiconductor

Balenie

Tape & Reel (TR)

Seriál

-

Stav produktu

Active

Technológia

MOSFET (Metal Oxide)

Konfigurácia

N and P-Channel

Funkcia FET

-

Odtok do zdroja objtage (Vdss)

30V

Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C

4A (Ta)

Rds zapnuté (max.) @ id, vgs

46mOhm @ 4A, 10V, 70mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th) (Max.) @ Id

2.5V @ 1mA

Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs

4.3nC @ 10V, 6.7nC @ 10V

Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds

180pF @ 15V, 305pF @ 15V

Výkon - Max

2W (Ta)

Prevádzková teplota

150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balenie / puzdro

6-PowerUDFN

Balík zariadení dodávateľa

HUML2020L8

Základné číslo produktu

UT6MA2

Technické údaje a dokumenty

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie

3,000

Iné mená

UT6MA2TCRTR

UT6MA2TCRCT

UT6MA2TCRDKR

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS

ROHS3 Compliant

Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)

1 (Unlimited)

Stav nariadenia REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikácia

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Súvisiace produkty

rohm-semi

SH8M24TB1

MOSFET N/P-CH 45V 4.5A 8SOP

rohm-semi

SP8K5FU6TB

MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8SOP

rohm-semi

SP8M4FU6TB

MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOP

rohm-semi

VT6M1T2CR

MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6