Výrobca Číslo produktu:
DKI06075
Product Overview
Výrobca:
Sanken Electric USA Inc.
Číslo dielu:
DKI06075-DG
Popis:
MOSFET N-CH 60V 48A TO252
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 48A (Tc) 61W (Tc) Surface Mount TO-252
Inventár:
13562170
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
DKI06075 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Sanken Electric Co., Ltd.
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
48A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
6.5mOhm @ 34A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
53.6 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
3810 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
61W (Tc)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-252
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
DKI06075CT
DKI06075TR
DKI06075 DK
DKI06075DKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
RoHS Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
TK4R4P06PL,RQ
VÝROBCA
Toshiba Semiconductor and Storage
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
885
ČÍSLO DIELU
TK4R4P06PL,RQ-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.49
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
FDD86569-F085
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
13945
ČÍSLO DIELU
FDD86569-F085-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.47
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
RD3L08BGNTL
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1415
ČÍSLO DIELU
RD3L08BGNTL-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.02
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
