Výrobca Číslo produktu:
2SC2271E-AE
Product Overview
Výrobca:
Sanyo
Číslo dielu:
2SC2271E-AE-DG
Popis:
NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON
Podrobný popis:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 300 V 100 mA 50MHz 900 mW Through Hole 3-MP
Inventár:
6824 Ks Nové Originálne Na Sklade
12941616
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
2SC2271E-AE Technické špecifikácie
Kategória
Bipolárny (BJT), Jednoduché bipolárne tranzistory
Výrobca
Balenie
Bulk
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ tranzistora
NPN
Prúd - kolektor (Ic) (max.)
100 mA
Napätie - prieraz kolektora žiariča (max.)
300 V
Nasýtenie Vce (max.) @ Ib, Ic
600mV @ 2mA, 20mA
Prúd - hranie kolektora (max.)
1µA (ICBO)
Zisk prúdu jednosmerného prúdu (hFE) (min) @ Ic, Vce
100 @ 10mA, 10V
Výkon - Max
900 mW
Frekvencia - Prechod
50MHz
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balenie / puzdro
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Balík zariadení dodávateľa
3-MP
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
5,323
Iné mená
ONSSNY2SC2271E-AE
2156-2SC2271E-AE
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
Not applicable
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
CA3127ER4102
HIGH FREQUENCY NPN TRANSISTOR AR
2SC3708T-AA
0.5A, 80V, NPN
2SC3599E
NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON
