Výrobca Číslo produktu:
2N6661
Product Overview
Výrobca:
Solid State Inc.
Číslo dielu:
2N6661-DG
Popis:
MOSFET N-CH 90V 900MA TO39
Podrobný popis:
N-Channel 90 V 900mA (Tc) 6.25W (Tc) Through Hole TO-39
Inventár:
6694 Ks Nové Originálne Na Sklade
12971657
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
2N6661 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Manufacturers
Balenie
Box
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
90 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
900mA (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
4mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2V @ 1mA
Vgs (max.)
±40V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
50 pF @ 25 V
Stratový výkon (max.)
6.25W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-39
Balenie / puzdro
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
10
Iné mená
2383-2N6661
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
Not Applicable
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
APT14M120S
MOSFET N-CH 1200V 14A D3PAK
PJL9434A_R2_00001
60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJD4NA65_L2_00001
650V N-CHANNEL MOSFET
