Výrobca Číslo produktu:
IRF634
Product Overview
Výrobca:
STMicroelectronics
Číslo dielu:
IRF634-DG
Popis:
MOSFET N-CH 250V 8A TO220AB
Podrobný popis:
N-Channel 250 V 8A (Tc) 80W (Tc) Through Hole TO-220
Inventár:
12874705
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRF634 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
STMicroelectronics
Balenie
-
Seriál
MESH OVERLAY™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
250 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
8A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
450mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
51.8 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
770 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
80W (Tc)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
IRF6
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,000
Iné mená
IRF634ST
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IRF624PBF
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
IRF624PBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.69
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
RCX080N25
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
246
ČÍSLO DIELU
RCX080N25-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.43
Typ substitútu
Direct
ČÍSLO DIELU
IRF634PBF
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
6636
ČÍSLO DIELU
IRF634PBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.67
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
STP15NM60ND
MOSFET N-CH 600V 14A TO220AB
STD10P6F6
MOSFET P CH 60V 10A DPAK
STFI7LN80K5
MOSFET N-CH 800V 5A I2PAKFP