Výrobca Číslo produktu:
SCT10N120
Product Overview
Výrobca:
STMicroelectronics
Číslo dielu:
SCT10N120-DG
Popis:
SICFET N-CH 1200V 12A HIP247
Podrobný popis:
N-Channel 1200 V 12A (Tc) 150W (Tc) Through Hole HiP247™
Inventár:
12878188
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SCT10N120 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
STMicroelectronics
Balenie
Tube
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
SiCFET (Silicon Carbide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
1200 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
12A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
20V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
690mOhm @ 6A, 20V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
22 nC @ 20 V
Vgs (max.)
+25V, -10V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
290 pF @ 400 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
150W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 200°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
HiP247™
Balenie / puzdro
TO-247-3
Základné číslo produktu
SCT10
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
100
Iné mená
497-16597-5
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
MSC360SMA120B
VÝROBCA
Microchip Technology
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
138
ČÍSLO DIELU
MSC360SMA120B-DG
CENA ZA JEDNOTKU
4.74
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
G3R350MT12D
VÝROBCA
GeneSiC Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
5904
ČÍSLO DIELU
G3R350MT12D-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.97
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
STL24N60M2
MOSFET N-CH 600V 18A PWRFLAT HV
STB7ANM60N
MOSFET N-CH 600V 5A D2PAK
STW15NM60N
MOSFET N-CH 600V 14A TO247-3
