Výrobca Číslo produktu:
SCTH90N65G2V-7
Product Overview
Výrobca:
STMicroelectronics
Číslo dielu:
SCTH90N65G2V-7-DG
Popis:
SICFET N-CH 650V 90A H2PAK-7
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 90A (Tc) 330W (Tc) Surface Mount H2PAK-7
Inventár:
92 Ks Nové Originálne Na Sklade
12880155
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SCTH90N65G2V-7 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
STMicroelectronics
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
SiCFET (Silicon Carbide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
650 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
90A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
18V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
26mOhm @ 50A, 18V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
157 nC @ 18 V
Vgs (max.)
+22V, -10V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
3300 pF @ 400 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
330W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
H2PAK-7
Balenie / puzdro
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Základné číslo produktu
SCTH90
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,000
Iné mená
497-18352-6
497-18352-2
497-18352-1
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
STL11N4LLF5
MOSFET N-CH 40V 11A POWERFLAT
STF23N80K5
MOSFET N-CH 800V 16A TO220FP
STF10NM65N
MOSFET N-CH 650V 9A TO220FP
