Výrobca Číslo produktu:
STB120NF10T4
Product Overview
Výrobca:
STMicroelectronics
Číslo dielu:
STB120NF10T4-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 110A D2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 110A (Tc) 312W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventár:
27142 Ks Nové Originálne Na Sklade
12874622
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
STB120NF10T4 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
STMicroelectronics
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
STripFET™ II
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
110A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
10.5mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
233 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
5200 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
312W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
D2PAK
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základné číslo produktu
STB120
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,000
Iné mená
497-2452-2-NDR
497-2452-1-NDR
497-2452-1
497-2452-2
497-2452-6
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
STF24N65M2
N-channel 650 V, 0.185 Ohm typ.,
STFILED524
MOSFET N-CH 525V 4A I2PAKFP
STD5N80K5
MOSFET N-CH 800V 4A DPAK
