Výrobca Číslo produktu:
STB12NM60N-1
Product Overview
Výrobca:
STMicroelectronics
Číslo dielu:
STB12NM60N-1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 10A (Tc) 90W (Tc) Through Hole I2PAK
Inventár:
12874313
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
STB12NM60N-1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
STMicroelectronics
Balenie
-
Seriál
MDmesh™ II
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
10A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
410mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
30.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
960 pF @ 50 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
90W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
I2PAK
Balenie / puzdro
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Základné číslo produktu
STB12N
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,000
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
STP11NM60ND
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
STP11NM60ND-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.81
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
STP13NM60N
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
649
ČÍSLO DIELU
STP13NM60N-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.01
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
STP13N60M2
MOSFET N-CH 600V 11A TO220
STD35NF3LLT4
MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
STL220N3LLH7
MOSFET N-CH 30V 220A POWERFLAT