Výrobca Číslo produktu:
STB15NM65N
Product Overview
Výrobca:
STMicroelectronics
Číslo dielu:
STB15NM65N-DG
Popis:
MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 12A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventár:
12879564
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
STB15NM65N Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
STMicroelectronics
Balenie
-
Seriál
MDmesh™ II
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
650 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
12A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
270mOhm @ 7.75A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1900 pF @ 50 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
150W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
D2PAK
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základné číslo produktu
STB15N
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,000
Iné mená
497-7936-1
497-7936-2
-497-7936-1
-497-7936-2
STB15NM65N-DG
497-7936-6
-497-7936-6
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
STB18NM80
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
STB18NM80-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.07
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
IPB65R310CFDAATMA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1407
ČÍSLO DIELU
IPB65R310CFDAATMA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.29
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
STL3N80K5
MOSFET N-CH 800V 2.5A POWERFLAT
STB141NF55
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
STW80NF06
MOSFET N-CH 60V 80A TO247-3