Výrobca Číslo produktu:
STB18N60DM2
Product Overview
Výrobca:
STMicroelectronics
Číslo dielu:
STB18N60DM2-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 12A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventár:
2125 Ks Nové Originálne Na Sklade
12878795
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
STB18N60DM2 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
STMicroelectronics
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
MDmesh™ DM2
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
12A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
295mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
800 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
90W (Tc)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-263 (D2PAK)
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základné číslo produktu
STB18
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,000
Iné mená
497-16339-6
497-16339-1
497-16339-2
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
STU8N65M5
MOSFET N-CH 650V 7A IPAK
STD18NF25
MOSFET N-CH 250V 17A DPAK
STW21N150K5
MOSFET N-CH 1500V 14A TO247
