Výrobca Číslo produktu:
STB200NF04-1
Product Overview
Výrobca:
STMicroelectronics
Číslo dielu:
STB200NF04-1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 40 V 120A (Tc) 310W (Tc) Through Hole I2PAK
Inventár:
12878410
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
STB200NF04-1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
STMicroelectronics
Balenie
-
Seriál
STripFET™ II
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
40 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
120A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
3.7mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
210 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
5100 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
310W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
I2PAK
Balenie / puzdro
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Základné číslo produktu
STB200N
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,000
Iné mená
497-3512-5-NDR
497-3512-5
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IRF1404LPBF
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
6152
ČÍSLO DIELU
IRF1404LPBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.15
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
STL60P4LLF6
MOSFET P-CH 40V 60A POWERFLAT
PSMN004-55W,127
MOSFET N-CH 55V 100A TO247-3
STP300NH02L
MOSFET N-CH 24V 120A TO220AB