STB36NM60ND
Výrobca Číslo produktu:

STB36NM60ND

Product Overview

Výrobca:

STMicroelectronics

Číslo dielu:

STB36NM60ND-DG

Popis:

MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 29A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventár:

978 Ks Nové Originálne Na Sklade
12872923
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

STB36NM60ND Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
STMicroelectronics
Balenie
Cut Tape (CT)
Seriál
FDmesh™ II
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
29A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
110mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
80.4 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2785 pF @ 50 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
190W (Tc)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Trieda
Automotive
Kvalifikácia
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-263 (D2PAK)
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základné číslo produktu
STB36

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
1,000
Iné mená
497-13861-6
497-13861-1
497-13861-2

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatívne modely

ČÍSLO DIELU
IPB60R099CPAATMA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
700
ČÍSLO DIELU
IPB60R099CPAATMA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
4.17
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
STB34NM60ND
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
STB34NM60ND-DG
CENA ZA JEDNOTKU
5.89
Typ substitútu
Parametric Equivalent
ČÍSLO DIELU
STH60N099DM9-2AG
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
STH60N099DM9-2AG-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.30
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
IPB60R099P7ATMA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
39
ČÍSLO DIELU
IPB60R099P7ATMA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.57
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
IPB60R125C6ATMA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2357
ČÍSLO DIELU
IPB60R125C6ATMA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.54
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
stmicroelectronics

STB80NF55-08T4

MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK

stmicroelectronics

STP6NM60N

MOSFET N-CH 600V 4.6A TO220AB

nxp-semiconductors

BUK7C3R1-80EJ

MOSFET N-CH 80V 200A D2PAK-7

vishay-siliconix

2N6661JAN02

MOSFET N-CH 90V 860MA TO39