Domov
Produkty
Výrobcovia
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a príspevky
Dopyt/cena
Slovakia
Prihlásiť sa
Selektívny jazyk
Aktuálny jazyk vašej voľby:
Slovakia
Prepínač:
Angličtina
Európa
Veľká Británia
Francúzsko
Španielsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Nórsko
Nemecko
Portugalsko
Slovensko
ltaly
Fínsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estónsko
Poľsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Gréčtina
Chorvátsko
Izrael
Srbsko
Bielorusko
Holandsko
Švédsko
Čierna Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarčina
Rumunsko
Rakúsko
Belgicko
Írsko
Ázia / Tichomorie
Čína
Vietnam
Indonézia
Thajsko
Laos
Filipínčina
Malajzia
Kórea
Japonsko
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistan
Saudská Arábia
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmarsko
Afrika, India a Blízky východ
Spojené arabské emiráty
Tadžikistan
Madagaskar
India
Irán
DR Kongo
Južná Afrika
Egypt
Keňa
Tanzánia
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Južná Amerika / Oceánia
Nový Zéland
Angola
Brazília
Mozambik
Peru
Kolumbia
Čile
Venezuela
Ekvádor
Bolívia
Uruguaj
Argentína
Paraguaj
Austrália
Severná Amerika
Spojené štáty americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikácie
DiGi Úvod
Prečo DiGi
Politika
Kvalitná politika
Podmienky používania
Vyhovuje požiadavkám RoHS
Proces vrátenia
Zdroje
Kategórie produktov
Výrobcovia
Blogy a príspevky
Služby
Záruka kvality
Spôsob platby
Globálna preprava
Cenník dopravy
Často kladené otázky
Výrobca Číslo produktu:
STB36NM60ND
Product Overview
Výrobca:
STMicroelectronics
Číslo dielu:
STB36NM60ND-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 29A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventár:
978 Ks Nové Originálne Na Sklade
12872923
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
*
Spoločnosť
*
Kontaktné meno
*
Telefón
*
E-mail
Doručacia adresa
Správa
(
*
) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
STB36NM60ND Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
STMicroelectronics
Balenie
Cut Tape (CT)
Seriál
FDmesh™ II
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
29A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
110mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
80.4 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2785 pF @ 50 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
190W (Tc)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Trieda
Automotive
Kvalifikácia
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-263 (D2PAK)
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základné číslo produktu
STB36
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,000
Iné mená
497-13861-6
497-13861-1
497-13861-2
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IPB60R099CPAATMA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
700
ČÍSLO DIELU
IPB60R099CPAATMA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
4.17
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
STB34NM60ND
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
STB34NM60ND-DG
CENA ZA JEDNOTKU
5.89
Typ substitútu
Parametric Equivalent
ČÍSLO DIELU
STH60N099DM9-2AG
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
STH60N099DM9-2AG-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.30
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
IPB60R099P7ATMA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
39
ČÍSLO DIELU
IPB60R099P7ATMA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.57
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
IPB60R125C6ATMA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2357
ČÍSLO DIELU
IPB60R125C6ATMA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.54
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
STB80NF55-08T4
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
STP6NM60N
MOSFET N-CH 600V 4.6A TO220AB
BUK7C3R1-80EJ
MOSFET N-CH 80V 200A D2PAK-7
2N6661JAN02
MOSFET N-CH 90V 860MA TO39