Výrobca Číslo produktu:
STB80N4F6AG
Product Overview
Výrobca:
STMicroelectronics
Číslo dielu:
STB80N4F6AG-DG
Popis:
MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 40 V 80A (Tc) 70W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventár:
970 Ks Nové Originálne Na Sklade
12872086
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
STB80N4F6AG Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
STMicroelectronics
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
STripFET™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
40 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
80A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
6mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2150 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
70W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Trieda
Automotive
Kvalifikácia
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-263 (D2PAK)
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základné číslo produktu
STB80
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,000
Iné mená
497-16506-1
-497-16506-2
497-16506-6
-497-16506-1
-497-16506-6
497-16506-2
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IXTA120N04T2
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
IXTA120N04T2-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.73
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
STD36NH02L
MOSFET N-CH 24V 30A DPAK
STP11NM60ND
MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
STP10NM65N
MOSFET N-CH 650V 9A TO220AB
