Výrobca Číslo produktu:
STD12N60DM6
Product Overview
Výrobca:
STMicroelectronics
Číslo dielu:
STD12N60DM6-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 10A DPAK
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 10A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Inventár:
2500 Ks Nové Originálne Na Sklade
12947975
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
STD12N60DM6 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
STMicroelectronics
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
MDmesh™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
10A (Tc)
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
390mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4.75V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
508 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
90W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-252 (DPAK)
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
STD12
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
497-STD12N60DM6DKR
497-STD12N60DM6CT
497-STD12N60DM6TR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
NTHL082N65S3HF
MOSFET N-CH 650V 40A TO247-3
FCH029N65S3-F155
MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3