Výrobca Číslo produktu:
STD12N60M2
Product Overview
Výrobca:
STMicroelectronics
Číslo dielu:
STD12N60M2-DG
Popis:
MOSFET N-CHANNEL 600V 9A DPAK
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 9A (Tc) 85W (Tc) Surface Mount DPAK
Inventár:
4977 Ks Nové Originálne Na Sklade
12872324
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
STD12N60M2 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
STMicroelectronics
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
MDmesh™ M2
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
9A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
450mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
16 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
538 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
85W (Tc)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
DPAK
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
STD12
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
497-16033-6
-497-16033-1
-497-16033-6
-497-16033-2
497-16033-1
497-16033-2
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
STB13N60M2
MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
STD100NH03LT4
MOSFET N-CH 30V 60A DPAK
STL22N60DM6
MOSFET N-CH 650V 15A PWRFLAT HV
