Výrobca Číslo produktu:
STD12NF06L-1
Product Overview
Výrobca:
STMicroelectronics
Číslo dielu:
STD12NF06L-1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 12A (Tc) 42.8W (Tc) Through Hole I-PAK
Inventár:
1913 Ks Nové Originálne Na Sklade
12878942
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
STD12NF06L-1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
STMicroelectronics
Balenie
Tube
Seriál
STripFET™ II
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
12A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
100mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
10 nC @ 5 V
Vgs (max.)
±16V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
350 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
42.8W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
I-PAK
Balenie / puzdro
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Základné číslo produktu
STD12
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
75
Iné mená
STD12NF06L-1-DG
497-6730-5
STD12NF06L1
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
STW23NM50N
MOSFET N-CH 500V 17A TO247-3
STW18N60DM2
MOSFET N-CH 600V 12A TO247
STF10N60DM2
MOSFET N-CH 600V 8A TO220FP
