Výrobca Číslo produktu:
STD3NK60Z-1
Product Overview
Výrobca:
STMicroelectronics
Číslo dielu:
STD3NK60Z-1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 2.4A IPAK
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 2.4A (Tc) 45W (Tc) Through Hole I-PAK
Inventár:
2900 Ks Nové Originálne Na Sklade
12874939
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
STD3NK60Z-1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
STMicroelectronics
Balenie
Tube
Seriál
SuperMESH™
Stav produktu
Not For New Designs
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
2.4A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4.5V @ 50µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
11.8 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
311 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
45W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
I-PAK
Balenie / puzdro
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Základné číslo produktu
STD3NK60
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
75
Iné mená
497-19648
STD3NK60Z-1-DG
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IRFUC20PBF
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
7
ČÍSLO DIELU
IRFUC20PBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.60
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
STU6N60M2
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
4
ČÍSLO DIELU
STU6N60M2-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.46
Typ substitútu
Direct
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
STF12N50M2
MOSFET N-CH 500V 10A TO220FP
STB12NM50T4
MOSFET N-CH 550V 12A D2PAK
STL24N60DM2
MOSFET N-CH 600V 15A PWRFLAT HV
