STD5N65M6
Výrobca Číslo produktu:

STD5N65M6

Product Overview

Výrobca:

STMicroelectronics

Číslo dielu:

STD5N65M6-DG

Popis:

MOSFET N-CH 650V DPAK
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 4A (Tc) 45W (Tc) Surface Mount DPAK

Inventár:

12877155
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

STD5N65M6 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
STMicroelectronics
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
MDmesh™ M6
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
650 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
4A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
0V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
1.3Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.75V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
5.1 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
170 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
45W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
DPAK
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
STD5N65

Technické údaje a dokumenty

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
2,500

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
stmicroelectronics

STI360N4F6

MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK

stmicroelectronics

STP33N65M2

MOSFET N-CH 650V 24A TO220

stmicroelectronics

STP190N55LF3

MOSFET N-CH 55V 120A TO220-3

stmicroelectronics

STB76NF75

MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK