Výrobca Číslo produktu:
STD9N80K5
Product Overview
Výrobca:
STMicroelectronics
Číslo dielu:
STD9N80K5-DG
Popis:
MOSFET N-CHANNEL 800V 7A DPAK
Podrobný popis:
N-Channel 800 V 7A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount DPAK
Inventár:
12870221
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
STD9N80K5 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
STMicroelectronics
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
MDmesh™ K5
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
800 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
7A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
900mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 100µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
340 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
110W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
DPAK
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
STD9
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
FCD4N60TM
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
10613
ČÍSLO DIELU
FCD4N60TM-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.61
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
R8006KND3TL1
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1440
ČÍSLO DIELU
R8006KND3TL1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.45
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
STD30NF06
MOSFET N-CH 60V 28A DPAK
STWA70N60DM6
MOSFET N-CH 600V 62A TO247
STB20N65M5
MOSFET N-CH 650V 18A D2PAK