Výrobca Číslo produktu:
STF18N60DM2
Product Overview
Výrobca:
STMicroelectronics
Číslo dielu:
STF18N60DM2-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 13A TO220FP
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 13A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-220FP
Inventár:
12945441
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
STF18N60DM2 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
STMicroelectronics
Balenie
Tube
Seriál
MDmesh™ DM2
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
13A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
295mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
800 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
25W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220FP
Balenie / puzdro
TO-220-3 Full Pack
Základné číslo produktu
STF18
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,000
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
R6013VNXC7G
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1080
ČÍSLO DIELU
R6013VNXC7G-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.44
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
IPA65R380E6XKSA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
466
ČÍSLO DIELU
IPA65R380E6XKSA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.92
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
IPA60R360P7SXKSA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
3734
ČÍSLO DIELU
IPA60R360P7SXKSA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.43
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
STL21N65M5
MOSFET N-CH 650V 17A PWRFLAT HV
STB10N95K5
MOSFET N-CH 950V 8A D2PAK
STB32N65M5
MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
