Výrobca Číslo produktu:
STF33N60DM2
Product Overview
Výrobca:
STMicroelectronics
Číslo dielu:
STF33N60DM2-DG
Popis:
MOSFET N-CH 650V 24A TO220FP
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 24A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220FP
Inventár:
3647 Ks Nové Originálne Na Sklade
12876535
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
STF33N60DM2 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
STMicroelectronics
Balenie
Tube
Seriál
MDmesh™ DM2
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
650 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
24A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
130mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
43 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1870 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
35W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220FP
Balenie / puzdro
TO-220-3 Full Pack
Základné číslo produktu
STF33
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
-497-16355-5
497-16355-5
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
STB150NF04
MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
STFI28N60M2
MOSFET N-CH 600V 22A I2PAKFP
STB60NF10T4
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
