Výrobca Číslo produktu:
STF35N65DM2
Product Overview
Výrobca:
STMicroelectronics
Číslo dielu:
STF35N65DM2-DG
Popis:
MOSFET N-CH 650V 32A TO220FP
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 32A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220FP
Inventár:
12878320
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
STF35N65DM2 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
STMicroelectronics
Balenie
Tube
Seriál
MDmesh™ DM2
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
650 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
32A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
110mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
56.3 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2540 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
40W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220FP
Balenie / puzdro
TO-220-3 Full Pack
Základné číslo produktu
STF35
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,000
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
R6030KNXC7
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1500
ČÍSLO DIELU
R6030KNXC7-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.76
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
R6030KNX
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
500
ČÍSLO DIELU
R6030KNX-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.62
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
STP16NF25
MOSFET N-CH 250V 14A TO220AB
STH47N60DM6-2AG
POWER TRANSISTORS
STD40P8F6AG
MOSFET P-CH 80V DPAK
