Výrobca Číslo produktu:
STF7N52K3
Product Overview
Výrobca:
STMicroelectronics
Číslo dielu:
STF7N52K3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 525V 6A TO220FP
Podrobný popis:
N-Channel 525 V 6A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-220FP
Inventár:
977 Ks Nové Originálne Na Sklade
12880313
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
STF7N52K3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
STMicroelectronics
Balenie
Tube
Seriál
SuperMESH3™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
525 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
6A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
850mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4.5V @ 50µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
870 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
25W (Tc)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220FP
Balenie / puzdro
TO-220-3 Full Pack
Základné číslo produktu
STF7N
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
497-12587-5
-497-12587-5
STF7N52K3-DG
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
Not Applicable
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
TK10A55D(STA4,Q,M)
VÝROBCA
Toshiba Semiconductor and Storage
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
TK10A55D(STA4,Q,M)-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.87
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
STD2N105K5
MOSFET N-CH 1050V 1.5A DPAK
STP23NM60N
MOSFET N-CH 600V 19A TO220AB
STE140NF20D
MOSFET N-CH 200V 140A ISOTOP
