Výrobca Číslo produktu:
STFI10N62K3
Product Overview
Výrobca:
STMicroelectronics
Číslo dielu:
STFI10N62K3-DG
Popis:
MOSFET N CH 620V 8.4A I2PAKFP
Podrobný popis:
N-Channel 620 V 8.4A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-281 (I2PAKFP)
Inventár:
1495 Ks Nové Originálne Na Sklade
12875137
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
STFI10N62K3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
STMicroelectronics
Balenie
Tube
Seriál
SuperMESH3™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
620 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
8.4A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
750mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4.5V @ 100µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1250 pF @ 50 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
30W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-281 (I2PAKFP)
Balenie / puzdro
TO-262-3 Full Pack, I2PAK
Základné číslo produktu
STFI10N
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
-497-13389-5
497-13389-5
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
STF9N60M2
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1988
ČÍSLO DIELU
STF9N60M2-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.53
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
STF10N105K5
MOSFET N-CH 1050V 6A TO220FP
STB35N60DM2
MOSFET N-CH 600V 28A D2PAK
STP10N65K3
MOSFET N-CH 650V 10A TO220
