Výrobca Číslo produktu:
STFI12N60M2
Product Overview
Výrobca:
STMicroelectronics
Číslo dielu:
STFI12N60M2-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 9A I2PAKFP
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 9A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-281 (I2PAKFP)
Inventár:
1487 Ks Nové Originálne Na Sklade
12879272
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
STFI12N60M2 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
STMicroelectronics
Balenie
Tube
Seriál
MDmesh™ M2
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
9A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
450mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
16 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
538 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
25W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-281 (I2PAKFP)
Balenie / puzdro
TO-262-3 Full Pack, I2PAK
Základné číslo produktu
STFI12N
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
497-16015-5
-497-16015-5
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
Not Applicable
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
STF12N60M2
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
990
ČÍSLO DIELU
STF12N60M2-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.65
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
STF25N10F7
MOSFET N-CH 100V 19A TO220FP
STB18N60M2
MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
STP12NM50FD
MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB
