Výrobca Číslo produktu:
STFI13N65M2
Product Overview
Výrobca:
STMicroelectronics
Číslo dielu:
STFI13N65M2-DG
Popis:
MOSFET N-CH 650V 10A I2PAKFP
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 10A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-281 (I2PAKFP)
Inventár:
1500 Ks Nové Originálne Na Sklade
12872731
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
STFI13N65M2 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
STMicroelectronics
Balenie
Tube
Seriál
MDmesh™ M2
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
650 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
10A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
430mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
590 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
25W (Tc)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-281 (I2PAKFP)
Balenie / puzdro
TO-262-3 Full Pack, I2PAK
Základné číslo produktu
STFI13N
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
-497-16016-5
497-16016-5
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
STF13N65M2
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
862
ČÍSLO DIELU
STF13N65M2-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.76
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
STL150N3LLH6
MOSFET N-CH 30V 150A POWERFLAT
STL28N60M2
MOSFET N-CH 60V PWRFLAT 8X8
STW18NM60N
MOSFET N-CH 600V 13A TO247-3
