Výrobca Číslo produktu:
STFI31N65M5
Product Overview
Výrobca:
STMicroelectronics
Číslo dielu:
STFI31N65M5-DG
Popis:
MOSFET N CH 650V 22A I2PAKFP
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 22A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-281 (I2PAKFP)
Inventár:
1479 Ks Nové Originálne Na Sklade
12879996
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
STFI31N65M5 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
STMicroelectronics
Balenie
Tube
Seriál
MDmesh™ V
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
650 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
22A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
148mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1865 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
30W (Tc)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-281 (I2PAKFP)
Balenie / puzdro
TO-262-3 Full Pack, I2PAK
Základné číslo produktu
STFI31N
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
497-13162
-497-13162
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
Not Applicable
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
STF31N65M5
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1115
ČÍSLO DIELU
STF31N65M5-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.92
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
STFI34N65M5
MOSFET N CH 650V 28A I2PAKFP
STP160N75F3
MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
STD10NM60ND
MOSFET N-CH 600V 8A DPAK
