Výrobca Číslo produktu:
STH265N6F6-6AG
Product Overview
Výrobca:
STMicroelectronics
Číslo dielu:
STH265N6F6-6AG-DG
Popis:
MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-6
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 180A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount H2PAK-6
Inventár:
12873513
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
STH265N6F6-6AG Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
STMicroelectronics
Balenie
-
Seriál
STripFET™ F6
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
180A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
2.1mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
183 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
11800 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
300W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Trieda
Automotive
Kvalifikácia
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
H2PAK-6
Balenie / puzdro
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Základné číslo produktu
STH265
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,000
Iné mená
-497-15472-2
497-15472-6
-497-15472-6
497-15472-2
497-15472-1
-497-15472-1
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IPB017N06N3GATMA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
9000
ČÍSLO DIELU
IPB017N06N3GATMA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.54
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
STB270N4F3
MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
STW35N60M2-EP
MOSFET N-CH 600V TO247
STWA88N65M5
MOSFET N-CH 650V 84A TO247
