STI11NM60ND
Výrobca Číslo produktu:

STI11NM60ND

Product Overview

Výrobca:

STMicroelectronics

Číslo dielu:

STI11NM60ND-DG

Popis:

MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 10A (Tc) 90W (Tc) Through Hole I2PAK

Inventár:

Online RFQ
12875599
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

STI11NM60ND Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
STMicroelectronics
Balenie
-
Seriál
FDmesh™ II
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
10A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
450mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
850 pF @ 50 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
90W (Tc)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
I2PAK
Balenie / puzdro
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Základné číslo produktu
STI11N

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
50

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Súvisiace produkty
stmicroelectronics

STP75NF75FP

MOSFET N-CH 75V 80A TO220FP

stmicroelectronics

STN3NF06L

MOSFET N-CH 60V 4A SOT223

stmicroelectronics

STL7N10F7

MOSFET N-CH 100V POWERFLAT

stmicroelectronics

STB21NM50N

MOSFET N-CH 500V 18A D2PAK