Výrobca Číslo produktu:
STI18N65M2
Product Overview
Výrobca:
STMicroelectronics
Číslo dielu:
STI18N65M2-DG
Popis:
MOSFET N-CH 650V 12A I2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 12A (Tc) 110W (Tc) Through Hole I2PAK
Inventár:
229 Ks Nové Originálne Na Sklade
12876872
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
STI18N65M2 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
STMicroelectronics
Balenie
Tube
Seriál
MDmesh™ M2
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
650 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
12A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
330mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
770 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
110W (Tc)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
I2PAK
Balenie / puzdro
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Základné číslo produktu
STI18
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
-1138-STI18N65M2
497-15550-5
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
STD1HNC60T4
MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
STL7N80K5
MOSFET N-CH 800V 3.6A POWERFLAT
STF34NM60N
MOSFET N-CH 600V 31.5A TO220FP
