STI28N60M2
Výrobca Číslo produktu:

STI28N60M2

Product Overview

Výrobca:

STMicroelectronics

Číslo dielu:

STI28N60M2-DG

Popis:

MOSFET N-CH 600V 22A I2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 22A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)

Inventár:

6000 Ks Nové Originálne Na Sklade
12880048
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

STI28N60M2 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
STMicroelectronics
Balenie
Tube
Seriál
MDmesh™ M2
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
22A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
150mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1440 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
170W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-262 (I2PAK)
Balenie / puzdro
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Základné číslo produktu
STI28

Technické údaje a dokumenty

Technické listy
STx28N60M2 Datasheet Spice Model Tutorial for Power MOSFETS

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
30
Iné mená
497-17621
2266-STI28N60M2

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Súvisiace produkty
stmicroelectronics

STF18NM80

MOSFET N-CH 800V 17A TO220FP

stmicroelectronics

STP130NH02L

MOSFET N-CH 24V 90A TO220

stmicroelectronics

STF7N95K3

MOSFET N-CH 950V 7.2A TO220FP

stmicroelectronics

STW42N60M2-EP

MOSFET N-CH 600V 34A TO247