Výrobca Číslo produktu:
STI32N65M5
Product Overview
Výrobca:
STMicroelectronics
Číslo dielu:
STI32N65M5-DG
Popis:
MOSFET N-CH 650V 24A I2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 24A (Tc) 150W (Tc) Through Hole I2PAK
Inventár:
995 Ks Nové Originálne Na Sklade
12875919
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
STI32N65M5 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
STMicroelectronics
Balenie
Tube
Seriál
MDmesh™ V
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
650 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
24A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
119mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
72 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
3320 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
150W (Tc)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
I2PAK
Balenie / puzdro
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Základné číslo produktu
STI32N
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
497-11331-5
-497-11331-5
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
STP34N65M5
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
241
ČÍSLO DIELU
STP34N65M5-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.82
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
STH52N10LF3-2AG
MOSFET N-CH 100V 52A H2PAK-2
STU6N60DM2
MOSFET N-CH 600V 5A IPAK
STL15N60M2-EP
MOSFET N-CH 600V 7A POWERFLAT HV
